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还在寻找一颗能扛起高压高效开关重任的“核心干将”吗？STW15NM60N正是为您而来！这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和14A的强大电流通过能力，旨在让您的电源转换和电机驱动设计事半功倍。

它最迷人的地方在于其极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升您的系统整体效率。同时，优化的开关特性让您能够轻松设计驱动电路，实现快速、干净的开关动作。无论是应对工业环境的严酷考验，还是满足消费电子对能效的苛刻要求，它都能让您的产品运行更凉爽、更持久、更可靠。

• 型号:STW15NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。