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还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STP200N4F3正是为您而来的解决方案。它能让您轻松驾驭高达120A的连续电流，凭借仅4.4毫欧的超低导通电阻，显著降低开关过程中的能量损耗，直接提升系统的整体能效，让热量管理变得更简单。

这颗采用成熟TO-220封装的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达300W的功率处理能力。其优异的栅极驱动特性，让您可以实现更快速、更高效的开关控制，无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，都能确保稳定可靠的性能输出，助您构建更强劲、更耐用的电力电子系统。

• 型号:STP200N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP200N4F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。