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还在寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗和小尺寸的功率开关解决方案吗？STS8DN3LLH5正是为您而来的答案。这颗采用STripFET V技术的双N沟道MOSFET，以其低至19毫欧的导通电阻和10A的连续电流能力，让您能够轻松驾驭各种高功率密度设计，显著降低系统发热，提升整体能效。

它内置逻辑电平门驱动，可直接由微处理器控制，为您省去额外的驱动电路，让设计更简洁，布局更自由。无论是用于电机驱动、电源转换还是负载开关，其快速的开关特性和卓越的热性能都能确保系统运行高效且稳定。选择STS8DN3LLH5，就是选择用一颗芯片释放更大的设计潜能，让您的产品在性能和体积上均占据领先优势。

• 型号:STS8DN3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.4nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2.7W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS8DN3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。