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还在为系统数据缓冲区的速度瓶颈而烦恼吗？让M68AW256ML70ZB6来改变这一切！这颗4Mb（256K x 16）异步SRAM芯片，能以高达70ns的极速访问时间，成为您处理器最得力的“高速缓存伙伴”，轻松应对实时数据吞吐的挑战。

它工作在2.7V至3.6V的宽电压范围，并能在-40°C到85°C的严苛温度下稳定运行，无论是工业控制、通信设备还是汽车电子，都能让您的设计底气十足。其48-TFBGA封装节省宝贵空间，表面贴装工艺便于高效生产。选择它，就是为您的核心应用选择了一份高效与可靠并重的存储保障。

• 型号:M68AW256ML70ZB6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:48-TFBGA（7x12）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:SRAM
• 技术:SRAM - 异步
• 存储容量:4Mb
• 存储器组织:256K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:70ns
• 访问时间:70 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（7x12）
• M68AW256ML70ZB6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。