我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW43N60DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能够扛起高压大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关？STW43N60DM2正是为此而生。这颗基于先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和34A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电源或电机驱动系统运行得更顺畅、更节能。

它凭借低至93毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，直接将更高的效率转化为您的产品优势。同时，优化的开关特性帮助您轻松应对高频设计挑战，减少开关损耗和电磁干扰。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的紧凑设计，它都能让您游刃有余，是实现高性能、高可靠性功率转换方案的得力助手。

• 型号:STW43N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW43N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。