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您正在寻找一颗能扛起高压重任，同时又能保持冷静高效的功率开关吗？STD5N52U正是为您而来。这颗来自ST意法半导体UltraFASTmesh系列的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和4.4A的连续电流能力，能轻松应对开关电源、PFC电路等高压场景的严苛要求。

它的核心价值在于卓越的能效表现。优化的1.5欧姆低导通电阻，让电流通过时的损耗显著降低，直接提升您的系统效率。同时，其快速的开关特性和良好的热性能（70W耗散能力），让您能够设计出更紧凑、更可靠的电源方案，简化散热设计，助力产品小型化与性能提升。

• 型号:STD5N52U
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16.9 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:529 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD5N52U，ST（意法半导体）产品一站式供应商。