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还在寻找一颗能兼顾高压、大电流与高效率的“心脏”吗？STW24NM60N正是为您而来！这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和17A的强大电流处理能力，其超低的190毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它卓越的开关特性（低栅极电荷与输入电容）让开关速度更快，损耗更低，轻松提升整体能效。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求极致的能源利用，STW24NM60N都能以高达125W的散热能力和宽泛的工作温度范围，为您提供稳定可靠的核心开关解决方案，助您轻松构建高性能的电力电子设备。

• 型号:STW24NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。