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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任、同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STB10N65K3正是为此而生。这颗基于先进SuperMESH3技术的650V/10A N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源或电机驱动系统效率飞升。它凭借极低的导通电阻，显著减少导通损耗，让电能传输更顺畅，直接帮助您降低系统发热，提升整体能效。

不仅如此，其优化的动态参数（如栅极电荷）让开关控制更加迅速精准，轻松应对高频开关需求，助力您设计出更紧凑、功率密度更高的产品。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求极致的能源效率，STB10N65K3都能以稳定的性能和卓越的可靠性，成为您值得信赖的功率开关选择。

• 型号:STB10N65K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10N65K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。