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它集高电流处理能力、优异的开关性能与坚固的DPak封装于一身，能轻松应对电机驱动、电源转换等高频高功率场景的挑战。选择它，意味着您选择了更紧凑的设计、更低的系统成本和更可靠的产品表现，让您的创新之路更加高效顺畅。

• 型号:STGB20H65DFB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 40A D2PAK-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:40 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，20A
• 功率 - 最大值:147 W
• 开关能量:265J（导通），214J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:56 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/78.8ns
• 测试条件:400V，20A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):215 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
• 供应商器件封装:D2PAK-3
• STGB20H65DFB2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。