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还在为高压电路中的开关损耗和可靠性担忧吗？让STF5N105K5来为您分忧！这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，是专为高效、高压开关应用而设计的利器。它能轻松阻断高达1050V的电压，并通过仅3.5欧姆的低导通电阻，让3A的电流高效通过，显著降低功率损耗，直接提升您的系统整体能效。

更令人惊喜的是，其极低的栅极电荷（仅12.5nC）和输入电容，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高频率的设计，同时减少电磁干扰。无论是用于电源转换、电机驱动还是照明镇流器，STF5N105K5都能以其坚固的TO-220封装和宽温度工作范围（-55°C至150°C），提供稳定持久的性能，让您的产品设计更紧凑、运行更可靠。

• 型号:STF5N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220 整包
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220 整包
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF5N105K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。