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还在为高电压开关应用的效率和发热头疼吗？STW11NK100Z正是为您而来的解决方案。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有惊人的1000V耐压和仅1.38欧姆的超低导通电阻，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更高效。

它能在高达8.3A的电流下稳定工作，并具备快速开关特性（栅极电荷仅162nC），让您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保了在各种严苛环境下的卓越可靠性和长寿命，是您打造高性能、高可靠性功率系统的理想核心选择。

• 型号:STW11NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NK100Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。