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还在为高压应用中的开关损耗和散热问题烦恼吗？让STB2N62K3来为您解决！这颗基于SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有620V的高耐压和2.2A的电流能力，能轻松应对开关电源、电机控制等场景的严苛要求。

它的核心价值在于高效与可靠。仅3.6欧姆的低导通电阻，能显著降低功率损耗，提升整体系统效率；同时，优异的封装散热设计支持高达45W的功率耗散，让您的设备运行更凉爽、更稳定。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的性能基石。

• 型号:STB2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB2N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。