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还在为高压应用中的功率损耗和散热问题头疼吗？STB7N52K3正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，拥有525V的高耐压和6A的强电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅980毫欧），能显著减少传导过程中的能量浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅是一个开关，更是一个效率倍增器。优异的开关特性（低栅极电荷和输入电容）让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件的体积，降低整体系统成本。采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，确保在严苛环境下依然稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入了强劲而高效的心脏。

• 型号:STB7N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:980 毫欧 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:737 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB7N52K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。