我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STGWA40H65DFB现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

想象一下，一颗芯片就能让您的功率系统运行如丝般顺滑，同时大幅削减能耗。STGWA40H65DFB正是为此而生。它集650V高压耐受、80A持续电流与160A脉冲电流能力于一身，采用先进的沟槽型场截止技术，能显著降低导通与开关损耗，让您的电机驱动、太阳能逆变器或UPS电源效率飙升，运行更凉爽、更安静。

这颗芯片的强大之处在于细节：仅2V的低饱和压降为您节省每一分电能；优化的开关特性（开/关时间40ns/142ns）确保快速响应，提升系统动态性能；高达175°C的结温工作范围则提供了坚实的可靠性保障。选择它，就是选择让复杂的设计难题变得简单，让高效稳定的功率输出成为您产品的标准配置。

• 型号:STGWA40H65DFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
• 功率 - 最大值:283 W
• 开关能量:498J（导通），363J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:210 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
• 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):62 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA40H65DFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。