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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关吗？STS15N4LLF5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET V技术的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和15A的连续电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（最低仅6.7毫欧），能显著降低开关状态下的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更节能。

同时，它具备优异的开关特性，栅极电荷（Qg）低至12.9nC，让您能轻松实现快速、高效的开关控制，提升系统整体响应速度。无论是用于DC-DC转换器、电机驱动，还是负载开关，它都能帮助您简化设计，提升产品能效与可靠性。其坚固的构造和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种挑战性环境中稳定工作，是您打造高效、紧凑型电子设备的理想功率器件伙伴。

• 型号:STS15N4LLF5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 15A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.7 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS15N4LLF5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。