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STPSC8TH13TI 零件图片(仅供参考)

STPSC8TH13TI
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STPSC8TH13TI 规格参数

还在为电源转换效率遇到瓶颈而困扰吗?STPSC8TH13TI碳化硅肖特基二极管阵列,正是为您突破极限而生的利器。它采用先进的碳化硅技术,实现了真正的零反向恢复时间(0ns),能从根本上消除开关损耗,让您的电源、电机驱动或光伏逆变器运行得更高效、更凉爽,轻松提升整体系统能效。

这颗芯片能为您做什么?它凭借650V的高耐压和8A的强大电流处理能力,确保在高频高压环境下稳定可靠。其极低的正向压降(仅1.75V @ 8A)和反向漏电流,意味着更少的能量浪费和更低的发热。宽广的工作温度范围(-40°C至175°C)则让您的产品无惧严苛环境挑战。选择它,就是选择让设计更简洁、性能更卓越、竞争力更持久的智能方案。

  • 型号:STPSC8TH13TI
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-220AB 绝缘
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARRAY SIC 650V 8A TO220AB
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对串行连接
  • 技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 8 A
  • 速度:无恢复时间 \> 500mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:80 A @ 650 V
  • 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商器件封装:TO-220AB 绝缘
  • STPSC8TH13TI,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STPSC8TH13TI 基本参数:

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