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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP19NM65N正是为您而生的解决方案。这颗采用意法半导体先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有高达650V的击穿电压和15.5A的连续电流处理能力，让您在设计电源、电机驱动等高压应用时信心十足。

它的核心魅力在于极低的功率损耗。其导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下表现出色，配合优化的栅极电荷，共同实现了超高的开关效率。这意味着它能显著减少能量浪费，降低系统发热，让您的设备运行更凉爽、更持久、更可靠。无论是提升能效等级，还是简化散热设计，它都能让您的工程挑战迎刃而解。

• 型号:STP19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP19NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。