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还在为功率转换效率瓶颈而烦恼吗？STL6N3LLH6正是您突破限制的利器。这颗采用先进STripFET VI技术的N沟道MOSFET，拥有低至25毫欧的导通电阻和仅3.6nC的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效和更低的温升。

它能在4.5V的低驱动电压下高效工作，非常适合电池供电的便携设备。高达13A的电流承载能力和紧凑的PowerFlat封装，让您能在有限的空间内实现强大的功率处理能力。无论是同步整流、电机控制还是负载开关，选择STL6N3LLH6，就是选择为您的产品注入一颗高效、可靠的能量控制核心。

• 型号:STL6N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:283 pF @ 24 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL6N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。