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您是否正在寻找一颗能同时征服高压、高效与小体积挑战的功率开关？STL10N60M6正是为您而来的解决方案。它基于ST先进的MDmesh M6技术，集成了600V的耐压和仅660毫欧的低导通电阻，让您能在AC-DC电源、电机驱动、照明系统等应用中，轻松实现更低的能量损耗和更高的工作效率。

这颗芯片采用创新的PowerFlat HV封装，在提供强大48W散热能力的同时，大幅节省了电路板空间，让您的终端产品设计更加紧凑、时尚。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和稳健的电气特性，确保了在各种严苛环境下都能持久稳定运行，显著提升您产品的可靠性和市场竞争力。

• 型号:STL10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:660 毫欧 @ 2.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。