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您是否希望为您的电源或电机驱动项目找到一颗动力澎湃又高效节能的“心脏”？STB20NM60T4正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有600V耐压和20A电流能力，基于ST先进的MDmesh技术，其超低的导通电阻能大幅减少功率损耗，直接提升您的系统整体效率。

它能让您的设计轻松应对高频开关需求，优异的栅极特性确保了快速、干净的开关动作，同时出色的热性能（192W耗散）保障了长期运行的稳定性。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STB20NM60T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB20NM60T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。