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还在为高压大电流应用的效率瓶颈而烦恼吗？让STP50N65DM6来为您破局！这颗来自意法半导体MDmesh家族的N沟道功率MOSFET，集650V高耐压与33A大电流能力于一身，专为要求严苛的开关电源和电机驱动设计。

它凭借低至91毫欧的导通电阻和优化的动态特性，能显著降低导通与开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。其坚固的TO-220封装确保了出色的功率处理能力和散热性能，轻松应对-55°C至150°C的宽温工作挑战。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STP50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2300 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50N65DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。