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还在为功率转换效率难以突破而烦恼吗？STD60NF06T4就是您期待的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和高达60A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的16毫欧超低导通电阻。这意味着在您的大电流开关应用中，它能大幅减少导通损耗，让宝贵的电能更多地用于驱动负载，而非转化为无用的热量，从而轻松帮助您实现系统能效的显著跃升。

得益于STripFET II先进技术，它在提供强大功率处理能力的同时，还保持了优异的动态特性。较低的栅极电荷（Qg）让驱动更轻松、开关更迅速，有效降低开关损耗。无论是用于电机驱动、DC-DC转换器还是电源开关，STD60NF06T4都能让您的设计运行更凉爽、响应更敏捷、可靠性更高。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:STD60NF06T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1810 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60NF06T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。