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您正在设计需要处理瞬间大功率的电路吗？STB300NH02L就是为您应对这类挑战而生的强力引擎。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，能轻松驾驭高达120A的连续电流，其核心魅力在于惊人的低导通电阻在10V驱动下仅1.8毫欧，让电流通过时的能量损耗微乎其微，直接为您带来更高的系统效率和更低的温升。

它采用坚固的D2PAK封装，散热能力出众，能稳定耗散300W功率，确保在-55°C到175°C的严酷温度范围内可靠工作。无论是用于提升电源转换器的效率，还是驱动高功率电机，STB300NH02L都能让您的设计更高效、更紧凑、更可靠，助您轻松攻克功率密度与热管理的难题。

• 型号:STB300NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB300NH02L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。