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您是否正在寻找一颗能显著提升电源效率、让系统运行更凉爽的“心脏”？STP8N65M5正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和7A的连续电流能力，专为应对高压、高功率的开关应用挑战。它采用先进的MDmesh V技术，能大幅降低导通电阻，减少功率损耗，直接帮助您设计出更节能、发热更小的电源产品。

更令人惊喜的是，它的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）都经过精心优化，这意味着开关速度更快，驱动更轻松，能有效提升整体系统的响应频率和效率。无论是用于工业电源、LED驱动还是各类适配器，STP8N65M5都能让您的设计事半功倍，以卓越的稳定性和性能，确保终端产品的长久可靠运行。

• 型号:STP8N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。