我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB30N65M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率器件的效率瓶颈而烦恼吗？让STB30N65M5为您开启高效节能的新篇章。这颗来自意法半导体MDmesh V家族的650V/22A N沟道MOSFET，凭借其惊人的139毫欧超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源、电机驱动或充电设备运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松应对高达140W的功率耗散，确保系统在150°C结温下的稳定工作，其优化的动态特性还有助于减少电磁干扰。选择STB30N65M5，就是选择用一颗芯片提升整个系统的能效与可靠性，让您的产品在市场竞争中轻松赢得优势。

• 型号:STB30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB30N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。