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还在为寻找一颗能高效驾驭大电流的开关管而烦恼吗？STP130NH02L正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有24V的耐压和高达90A的连续电流承载能力，其核心魅力在于仅4.4毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在开关电源、电机控制或负载开关应用中的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率。

它让您轻松实现高效的功率转换。在10V驱动电压下，它能迅速完全开启，配合优化的栅极电荷特性，确保开关过程既快速又干净，减少开关损耗。高达150W的功率耗散能力和宽广的工作温度范围，赋予了它出色的鲁棒性。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代高密度电源，这颗芯片都能成为您电路中可靠而强大的“心脏”，让您的产品性能脱颖而出。

• 型号:STP130NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 90A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:93 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4450 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP130NH02L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。