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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高集成度的MOSFET吗？STS8DNH3LL正是为您而来的解决方案。这颗双N-通道MOSFET阵列，凭借其仅22毫欧的低导通电阻和8A的持续电流能力，能显著降低您的系统功耗与温升，让电源转换和电机驱动效率大幅提升。

其逻辑电平门设计（开启电压仅1V）让您能轻松使用微控制器直接驱动，省去复杂的电平转换电路。同时，超低的栅极电荷确保了极快的开关速度，非常适合高频应用。所有这些强大功能，都被集成在一个标准的8-SOIC封装内，为您节省宝贵的PCB空间，让设计更紧凑、更高效。

• 型号:STS8DNH3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:857pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS8DNH3LL，ST（意法半导体）产品一站式供应商。