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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持超低损耗的功率开关吗？STW50N65DM6正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh DM6家族的N沟道MOSFET，拥有650V的坚固耐压和33A的强大电流处理能力，专为应对苛刻的工业环境而生。

它的核心价值在于，通过优化的超结结构，在10V驱动电压下实现了极低的导通电阻，同时将栅极电荷控制在很低的水平。这意味着它能帮助您轻松构建出更高效率的电源和电机驱动系统，显著降低开关损耗和导通损耗，从而减少散热需求，提升功率密度。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代高可靠性电力电子设备，STW50N65DM6都能让您的设计更高效、更紧凑、更具市场竞争力。

• 型号:STW50N65DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:91 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:52500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW50N65DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。