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您正在设计需要处理高压、大电流的电源或驱动方案吗？STP21N65M5正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的高耐压和17A的强大电流处理能力，能轻松应对服务器电源、工业电机驱动等高要求场景。

它的核心价值在于极致的效率。其超低的导通电阻（190mΩ）意味着更少的导通损耗，能将更多电能高效输送，从而帮助您降低系统发热，提升整体能效。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让开关速度更快、驱动更简易，显著减少开关损耗，让您的设计在性能和可靠性上都脱颖而出。

• 型号:STP21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP21N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。