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还在寻找一颗能同时兼顾大电流与低损耗的开关解决方案吗？STD180N4F6 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它基于意法半导体成熟的STripFET技术打造，拥有40V耐压和高达80A的连续电流处理能力，专为 demanding 的功率应用设计。

这颗芯片能为您做什么？它凭借极低的2.8毫欧导通电阻（@10V, 40A），能显著减少开关和传导过程中的功率损耗，让您的电源模块、电机驱动器或DC-DC转换器运行得更凉爽、更高效。这意味着更长的设备续航、更小的散热器需求以及整体系统可靠性的提升。其优化的栅极电荷特性，还能让您轻松实现高速开关，进一步提升整体能效。

• 型号:STD180N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD180N4F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。