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还在为功率转换电路的效率瓶颈和散热难题而困扰吗？让STL75N3LLZH5为您带来颠覆性的解决方案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集30V耐压与75A大电流能力于一身，凭借其革命性的低导通电阻（最低仅数毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET V技术和超薄的PowerFlat封装，不仅开关性能优异、栅极驱动简单，更能为您节省宝贵的电路板空间。无论是进行同步整流、电机驱动还是作为高效的负载开关，它都能让您轻松应对高电流挑战，大幅提升终端产品的功率密度和可靠性，是您打造高性能、高竞争力电源产品的理想核心器件。

• 型号:STL75N3LLZH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL75N3LLZH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。