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还在寻找那颗能扛起高压重担、同时保持冷静高效的“心脏”吗？STF10NM60N正是为您而来！这颗基于意法半导体MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流通过能力，让您在设计开关电源、电机驱动或照明镇流器时，底气十足，轻松应对各种功率挑战。

它的核心魅力在于极低的导通损耗。仅550毫欧的最大导通电阻，意味着电能可以更顺畅地通过，转化为更少的热量和更高的系统效率。配合其优化的栅极特性，它能实现快速、干净的开关动作，不仅让您的设计更节能，还能有效简化驱动电路并降低电磁干扰，助您轻松通过各项严苛的能效与安规认证。

采用坚固的TO-220FP封装，散热性能优异，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保它在各种恶劣环境下都能稳定运行，为您产品的长期可靠性保驾护航。选择STF10NM60N，就是为您的下一个成功项目注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:STF10NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。