我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD12N60DM6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为电源转换效率不够高而烦恼吗？STD12N60DM6正是为您破解这一难题的利器。这颗采用ST先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和10A的强大电流处理能力，其核心价值在于让您的设计更高效、更紧凑。

它能为您做什么？它通过极低的390毫欧导通电阻，显著降低开关过程中的导通损耗，直接将更多电能高效输送给负载，而非转化为无用的热量。同时，优化的栅极电荷和电容特性，确保了快速、干净的开关动作，让您轻松实现更高的开关频率和更优的电磁兼容性（EMC）表现。无论是用于服务器电源、工业电机驱动还是LED照明驱动，STD12N60DM6都能帮助您构建出性能卓越、运行稳定且极具成本效益的功率系统。

• 型号:STD12N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:390 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:508 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD12N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。