我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STLD200N4F6AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STLD200N4F6AG正是您的理想之选。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V耐压和高达120A的连续电流承载能力，其核心魅力在于极低的1.5毫欧导通电阻，能大幅减少功率损耗，让您的电机驱动、电源转换或电池管理系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的STripFET F6技术和专为散热优化的PowerFlat封装，确保在高功率密度设计中也能稳定工作。符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度范围覆盖-55°C至175°C，为您在汽车电子、工业控制等要求严苛的应用中提供坚实的可靠性保障。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的动力核心。

• 型号:STLD200N4F6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）双面
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 毫欧 @ 75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:172 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10700 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:158W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）双面
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• STLD200N4F6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。