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还在为您的便携设备寻找那颗既能节省空间又能扛起大梁的“能量心脏”吗？STL6N2VH5正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，采用创新的PowerFlat微型封装，让您能在指甲盖大小的面积内，高效控制高达6A的电流，完美解决紧凑型设计中的功率瓶颈。

它凭借STripFET V技术的加持，实现了超低的导通电阻与栅极电荷，这意味着更少的能量损耗和更低的发热，直接为您带来更长的设备续航时间和更冷静的系统运行状态。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，它都能让您的设计更高效、更可靠。

选择STL6N2VH5，就是选择为您的产品注入一颗强劲且高效的“芯”，轻松应对从消费电子到工业控制的各种挑战，助力您的创意更快落地成惊艳市场的产品。

• 型号:STL6N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• STL6N2VH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。