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您正在设计需要处理数十安培电流的电源或电机控制电路吗？STI45N10F7正是您理想的功率开关伙伴。这颗N沟道MOSFET拥有100V的漏源电压和45A的连续电流能力，其核心使命是让您以更低的损耗实现高效的能量切换。

得益于STripFET VII技术与DeepGATE工艺，它在10V驱动下导通电阻低至18毫欧，能显著减少导通状态下的功率耗散，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，其稳健的I2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在各种严苛环境下的长期可靠运行。

无论是用于开关电源、电机驱动还是功率转换模块，STI45N10F7都能帮助您简化设计，提升整体性能，是追求高性价比与高可靠性设计的明智之选。

• 型号:STI45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI45N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。