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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关吗？STP45N60DM2AG正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有600V/34A的强悍规格，其核心的MDmesh DM2技术能显著降低导通与开关损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉快、更节能。

它不仅仅关注性能，更注重在真实世界中的稳定表现。符合汽车级AEC-Q101标准，工作温度横跨-55°C至150°C，并采用坚固的TO-220封装，确保在恶劣环境下依然持久耐用。选择它，意味着您为产品选择了经过验证的可靠性和更长的使用寿命，让您能更专注于系统创新，而无后顾之忧。

• 型号:STP45N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 34A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:93 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。