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您正在寻找一颗能同时驾驭大电流与高效率的功率开关吗？STL20N6F7 N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它拥有60V耐压和高达100A的连续电流处理能力，而关键之处在于其惊人的低导通电阻最低仅5.4毫欧。这意味着它能让您的电源路径损耗大幅降低，将更多电能高效输送给负载，而非转化为无用的热量，从而轻松提升系统整体能效。

这颗芯片采用意法半导体先进的STripFET F7技术，配合紧凑的PowerFlat封装，在提供强大功率处理能力的同时，极大节省了电路板空间。其优化的动态参数，如低栅极电荷，确保了干净利落的开关性能，让您能够设计出更高频率、更高效的DC-DC转换器或电机驱动器。无论是用于服务器电源、车载充电还是工业电机控制，STL20N6F7都能助您构建更紧凑、更凉爽、更可靠的高性能系统。

• 型号:STL20N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3W（Ta），78W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL20N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。