我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL36N55M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？STL36N55M5正是为您破局而来的利器。这颗采用先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有550V高耐压和22.5A大电流能力，其核心价值在于让您的设计更高效、更紧凑。

它凭借低至90毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效；同时，优化的动态参数（如栅极电荷）让开关速度更快，损耗更低，使您轻松实现高频率、高功率密度设计。其坚固的PowerFlat封装确保了出色的热性能，让您的产品即使在高温高负载下也能稳定运行，可靠性倍增。

• 型号:STL36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:90 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL36N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。