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您是否渴望为您的电源或电机驱动项目找到一颗既能承受大电流，又能保持冷静高效的“心脏”？STP90N55F4正是您的理想之选。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，拥有55V的漏源电压和高达90A的连续电流处理能力，其核心魅力在于仅8毫欧的超低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽，能效大幅提升。

它采用先进的STripFET技术，开关性能优异，栅极电荷管理出色，让您能轻松设计出响应迅速、损耗更低的驱动电路。无论是用于DC-DC转换器、电机控制还是负载开关，它都能提供稳定可靠的功率切换。TO-220AB封装确保了出色的散热能力，结合-55°C至175°C的宽工作结温范围，让您的产品无惧苛刻环境，持久稳定运行。

• 型号:STP90N55F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:90 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP90N55F4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。