我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STI15NM60ND现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关？STI15NM60ND正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和14A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅299毫欧@10V），能大幅降低导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的电源或电机驱动方案轻装上阵。

它基于先进的FDmesh II技术，不仅开关性能出色（栅极电荷Qg低至40nC），还具备优异的体二极管特性。这意味着在变频器、PFC电路、UPS或照明镇流器等应用中，它能确保快速、干净的开关动作，减少电压尖峰和电磁干扰，让您的系统运行更加平稳可靠。其坚固的I2PAK通孔封装提供了出色的散热路径，轻松应对125W的功率耗散挑战，确保在-55°C至150°C的严苛温度范围内稳定工作。

• 制造商产品型号：STI15NM60ND
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：FDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：40nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1250pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：125W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STI15NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。