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您正在寻找一颗能轻松驾驭大电流、高效节能的功率开关吗？STP80PF55正是为您而来！这颗P沟道MOSFET拥有80A的强大电流处理能力和低至18毫欧的导通电阻，能显著降低您在电机驱动、电源转换等应用中的导通损耗，让系统运行更凉爽、更高效。

它采用成熟的STripFET II技术，开关特性优异，配合经典的TO-220AB封装，散热性能出众，安装简便。其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）确保它在各种严苛环境下稳定工作，是提升您产品功率密度和可靠性的得力助手。

• 型号:STP80PF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:258 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80PF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。