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还在为功率转换中的损耗和发热问题头疼吗？STP75N3LLH6正是您的高效解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达75A的电流处理能力，其核心魅力在于惊人的低导通电阻（仅5.9毫欧），能显著减少导通状态下的能量损耗，直接为您提升系统效率，降低温升。

它能让您的设计工作变得异常轻松。优化的栅极特性使驱动简单高效，加速开关速度，从而简化周边电路。无论是构建紧凑的电源模块、驱动电机，还是管理电池负载，它都能确保稳定强劲的性能输出。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的动力核心和更高的市场竞争力。

• 型号:STP75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。