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还在寻找那颗能兼顾大电流与高效率的“核心开关”吗？STD70N6F3正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET III技术，集成了60V耐压和高达70A的电流处理能力，而其核心魅力在于超低的10.5毫欧导通电阻。这意味着在您的电机驱动、电源转换或负载开关应用中，它能显著降低导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。

这颗芯片的设计充分考虑了您的易用性。仅需10V驱动电压即可实现完全导通，配合极低的栅极电荷，让您的驱动电路设计更简单，开关速度更快，整体性能更加高效。其坚固的DPAK封装和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在各种挑战性环境中稳定运行，让您对产品的可靠性充满信心。选择STD70N6F3，就是为您的设计注入一股强劲而高效的动力。

• 型号:STD70N6F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD70N6F3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。