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还在为功率器件的效率与温升问题头疼吗？STB28N60DM2就是为您的高效设计而生。它集成了意法半导体先进的MDmesh DM2技术，旨在让您的电源转换和电机驱动应用脱胎换骨。

这颗600V/21A的N沟道MOSFET，拥有极低的160毫欧导通电阻和仅34nC的栅极电荷，能大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的系统运行得更凉爽、更高效。其170W的强大功率处理能力和D2PAK封装，让您能轻松应对工业电源、UPS、光伏逆变器等严苛应用的挑战，在提升功率密度的同时确保卓越的可靠性。

• 型号:STB28N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB28N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。