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还在为高压大电流开关应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STE70NM60为您带来颠覆性的解决方案。这颗采用ST先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V/70A的强悍规格，其低至55毫欧的导通电阻能大幅降低导通损耗，助您轻松提升整体能效。

同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰。无论是用于构建更高效的电源，还是驱动更强劲的电机，STE70NM60都能让您的设计在性能和可靠性上脱颖而出，应对150°C结温的挑战也游刃有余。

• 型号:STE70NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:266 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:600W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
• STE70NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。