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还在为功率开关器件的损耗和发热问题头疼吗？STW37N60DM2AG正是为您的高效设计而来。这颗N沟道功率MOSFET，凭借其600V/28A的强劲规格和低至110毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的MDmesh DM2技术，拥有极低的栅极电荷，这意味着您可以实现更快的开关频率，从而减小磁性元件体积，优化整体系统成本与尺寸。其符合汽车级AEC-Q101标准，确保了卓越的可靠性和耐久性，让您即使在严苛的工业或汽车应用环境中也能高枕无忧。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“心脏”。

• 型号:STW37N60DM2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW37N60DM2AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。