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PD57006S-E 零件图片(仅供参考)

PD57006S-E
ST 订单到达,马上发货

PD57006S-E 规格参数

您是否正在寻找一颗能在945MHz频段提供强大、稳定信号放大的核心器件?PD57006S-E正是为您而来!这颗由ST意法半导体打造的LDMOS射频功率FET,能够轻松输出高达6W的功率,同时提供15dB的卓越增益,让您的射频前端设计瞬间获得强劲的动力核心。

它专为28V电压环境优化,额定电压高达65V,确保了在严苛应用下的超高可靠性与稳定性。无论是用于驱动级还是末级功率放大,PD57006S-E都能让您高效地实现清晰的信号覆盖与传输。其PowerSO-10封装更利于散热与布局,助您轻松打造更紧凑、更高效的高性能射频模块。

  • 型号:PD57006S-E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerSO-10RF(直引线)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • 技术:LDMOS
  • 配置:-
  • 频率:945MHz
  • 增益:15dB
  • 电压 - 测试:28 V
  • 额定电流(安培):1A
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:70 mA
  • 功率 - 输出:6W
  • 电压 - 额定:65 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
  • 供应商器件封装:PowerSO-10RF(直引线)
  • PD57006S-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

PD57006S-E 基本参数:

  • 电子零件型号:PD57006S-E
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 点击此处查询PD57006S-E的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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