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您正在设计需要高效功率切换的汽车或工业系统吗？STD100N10LF7AG就是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达100V电压和80A电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅9毫欧@10V），这直接意味着更少的能量损耗和发热，让您的设备运行更高效、更凉爽，从而大幅提升系统整体能效和可靠性。

基于意法半导体成熟的STripFET F7技术，并符合严苛的汽车级AEC-Q101标准，它能在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。无论是用于电机驱动、DC-DC转换器还是电源管理模块，它都能提供强劲、可靠的开关性能。选择它，就是为您的产品注入了经得起考验的耐久力与卓越性能。

• 型号:STD100N10LF7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD100N10LF7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。