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M59DR032EA10ZB6T 零件图片(仅供参考)

M59DR032EA10ZB6T
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M59DR032EA10ZB6T 规格参数

还在寻找一颗能扛起系统代码存储与快速执行重任的“大脑”级存储器吗?M59DR032EA10ZB6T正是您期待的答案。这颗由ST意法半导体出品的32Mb并行NOR闪存,能以高达100ns的速度响应您的每一次访问与写入指令,确保您的应用程序流畅、无延迟地运行。

它为您提供稳定可靠的非易失存储空间(2M x 16位组织方式),宽电压(1.65V~2.2V)与宽温(-40°C ~ 85°C)支持让它能轻松应对工业、汽车等严苛环境。选择它,就是为您的核心系统选择了一位反应迅捷、守口如瓶的忠诚伙伴,让产品开发更高效,让最终性能更卓越。

  • 制造商产品型号:M59DR032EA10ZB6T
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:IC FLASH 32MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:停产
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NOR
  • 存储容量:32Mb(2M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间-字,页:100ns
  • 访问时间:100ns
  • 电压-供电:1.65V ~ 2.2V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:48-LFBGA
  • M59DR032EA10ZB6T,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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M59DR032EA10ZB6T 基本参数:

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